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      铟镓砷探测器DInGaAs系列

      • 产品型号：DInGaAs系列
      • 产品时间：2024-05-20
      • 简要描述：常温型铟镓砷探测器（InGaAs）
        ——室温型近红外探测器，使用范围：0.8-1.7μm（2.6μm）
        ● DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs元件；
        ● DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs元件；
      • 产品介绍

      常温型铟镓砷探测器（InGaAs）

      ——室温型近红外探测器，使用范围：0.8-1.7μm（2.6μm）
      ● DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs元件；
      ● DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs元件；
      ● DInGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件；
      ● DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs元件；
      ● DInGaAs2600型内装进口InGaAs元件
       
      型号列表及主要技术指标：
      型号/参数
      DInGaAs1600
      DInGaAs1650
      DInGaAs1700-R03M
      DInGaAs1700
      DInGaAs2600
      光敏面直径（mm）
      1.5
      5
      3
      5
      3
      波长范围（nm）
      900-1600
      900-1650
      800-1700
      800-1700
      800-2600
      峰值响应度（A/W,  小）
      0.85
      0.85
      0.9
      0.95
      1.1
      暗电流（nA,  大）
      0.1
      200
      100
      10μA
      1mA
      D*（典型值）
      -
      -
      2.3×1012
      9.6×1011
      4.1×1010
      NEP（典型值）
      -
      -
      1.2×10-13
      2.8×10-13
      6.5×10-12
      阻抗（MΩ）
      30
      1
      1.5
      50kΩ
      320Ω
      电容（pF）
      80
      1500
      800
      -
      9000
      响应时间（ns）
      8
      160
      100
      300
      1μs
      信号输出模式
      电流
      电流
      电流
      电流
      电流
      输出信号性
      正（P）
      正（P）
      正（P）
      正（P）
       

      ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs）
      ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm
             TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs（x）-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，葫芦娃污APP响应曲线参考图如下：
      型号列表及主要技术指标：
       
       型号/参数
      DInGaAs1700-TE
      DInGaAs1900-TE
      DInGaAs2200-TE
      DInGaAs2400-TE
      DInGaAs2600-TE
      光敏面直径（mm）
      3
      3
      3
      3
      3
      波长范围（nm）
      800-1700
      800-1900
      800-2200
      800-2400
      800-2600
      峰值响应度（A/W）
      0.9
      1
      1.1
      1.15
      1.2
      D*（典型值）
      8.4×1013
      9.1×1012
      1.9×1012
      9.6×1011
      4.9×1011
      NEP（典型值）
      3.2×10-15
      2.9×10-14
      1.4×10-13
      2.8×10-13
      5.5×10-13
      温控器型号
      ZTC
      ZTC
      ZTC
      ZTC
      ZTC
      探测器温度（℃）
      -40
      -40
      -40
      -40
      -40
      温度稳定度（℃）
      ±0.5
      ±0.5
      ±0.5
      ±0.5
      ±0.5
      环境温度（℃）
      +10~+40
      +10~+40
      +10~+40
      +10~+40
      +10~+40
      信号输出模式
      电流
      电流
      电流
      电流
      电流
      输出信号性
      正（P）
      正（P）
      正（P）
      正（P）
      正（P）
      备注
      制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）
      推荐使用前置放大器型号：ZPA-7
      铟镓砷探测器使用建议：
      ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZPA-7（Page85）做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
      ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
      ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；
      ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；
       

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