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InGaN/GaN多量子阱的PL谱和EL谱测试
● 样品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于蓝宝石衬底MOCVD 生长的 InGaNGaN 量子阱
● 测试条件：325nm激发，功率30mW
● 葫芦娃污APP范围：340-700nm
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