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 什麽是第三代半導體？

 半導體產業發展至今經曆了三個階段：矽材料，砷化镓材料，再到以氮化镓、碳化矽為代表的寬禁帶半導體（Wide bandgap semiconductor）。

一代半導體材料以矽為代表，引發了集成電路（IC）為核心的微電子領域迅速發展。第二代半導體材料以砷化镓為代表，使半導體材料的應用進入光電子領域，尤其是在紅外激光器和高亮度的紅光二極管等方麵。第三代半導體材料的興起，則是以氮化镓（GaN）材料p 型摻雜的突破為起點，以高亮度藍光發光二極管（LED）和藍光激光器（LD）的研製成功為標誌，包括氮化镓（GaN）、碳化矽（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石等寬禁帶材料。

 幾種典型的寬禁帶半導體材料

第三代半導體有哪些優勢？

第三代半導體與前兩代半導體大的區別是禁帶寬度更寬，可以跨越從 0.7-6.2eV，所以葫芦娃黄色网站又稱之為寬禁帶半導體材料。其具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，逐步受到重視。

典型半導體材料特性參數對比

典型的三族氮化物目前主要用於發光，通過改變材料的組分，其發射波長可以覆蓋從紫外到紅外。

三族氮化物中的翹楚——氮化镓，帶隙3.4eV，在高功率、高速的光電元件中已有應用，目前商用藍光GaN 芯片已經做到非常成熟，能夠做到80%以上的效率。以及紫光（405nm）激光大量應用。

GaN LED 芯片的發光原理及結構示意圖

2014 年10 月7 日，赤崎勇、天野浩和中村修二（名字從左到右分別對應）因發明“高效藍色發光二極管”而獲得2014 年諾貝爾物理學獎。

第三代半導體的光致發光葫芦娃污APP測量

光致發光葫芦娃污APP定義為當一束光子能量足夠高（大於半導體材料的禁帶寬度Eg）的激光入射到半導體材料上，會將價帶的電子激發到導帶，從而在該材料中產生大量的電子空穴對，形成非平衡載流子。這些非平衡載流子隨即通過各種散射過程快速弛豫到相應能帶的底部，後發生複合產生熒光。采集該複合發光的葫芦娃污APP即稱為光致發光葫芦娃污APP。

PL 過程實際上是電子從較高能級向較低能級躍遷的過程中釋放出光子，釋放出的光子能量由這些高低能級的能量差來決定，其揭示了材料內部能級位置。

PL 測量有以下幾種表征方式及意義：

● 室溫PL 測量主要可以分析材料的帶邊發光以及缺陷發光，以及材料表麵的均勻性分析。

● 低溫PL 主要分析材料的發光特性如施主、受主發光，深能級或淺能級缺陷發光。

● 變溫PL 可以根據葫芦娃污APP隨溫度變化趨勢來進一步指認發光峰的性質。

● 變功率PL 則根據改變注入載流子濃度來分析材料的性質。

● 時間分辨光致發光（TRPL），包含時間分辨發射葫芦娃污APP和熒光壽命衰減曲線兩種，用於了解載流子弛豫過程，有時候載流子的空間擴散也會體現在時間分辨葫芦娃污APP中。

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變功率 PL 測量選件：以色列Ophir 廠家PD300-UV 激光功率計及Vega 表頭，功率計，參與激光功率標準製定，先鋒科技代理。

低溫變溫 PL 測量選件：英國Oxford 廠家3-300K 閉環製冷機（配套包含冷頭、壓縮機、水冷機、分子泵）